英诺赛科在美被判专利侵权，或面临禁售

　　当地时间7月8日，根据美国国际贸易委员会初步裁定，确认宜普公司（EPC）包括氮化镓技术在内的两项关键专利有效，并且判定英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司英诺赛科美国公司侵犯了氮化镓技术专利。

　　据了解，宜普公司（EPC公司）于去年6月向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（ITC）指控英诺赛科及其附属公司侵犯其专利权，EPC公司寻求损害赔偿并禁止英诺赛科将其侵权的GaN（氮化镓）产品套件进口到美国。EPC公司声称英诺赛科侵犯了其基础专利组合中的四项专利（美国专利号为8,350,294、8,404,508、9,748,347和10,312,335），专利涵盖了该公司专有的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造过程的核心环节。2023年6月28日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定半导体设备及其下游产品启动337调查（调查编码：337-TA-1366）。【相关链接：美国ITC对英诺赛科发起337调查，涉半导体设备】

　　美国国际贸易委员会的最终裁定预计在美国当地时间2024年11月5日公布，这有可能导致今年晚些时候英诺赛科的相关侵权产品进入美国市场受禁。

　　知产财经于6月曾报道，德国芯片巨头英飞凌也向德国慕尼黑地方法院提起诉讼，指控英诺赛科侵犯其氮化镓技术专利。慕尼黑地方法院随后于6月12日颁布了初步禁令，要求英诺赛科不得在纽伦堡举办的PCIM Europe 2024（全球电子行业知名展会）上展示其被诉产品。【相关链接：半导体专利之争升级：英诺赛科在德遭遇禁令】

　　值得关注的是，上个月，英诺赛科正式向香港联交所提交A1招股书，计划在港股上市。目前尚不清楚专利案件对该公司IPO的影响。

　　英诺赛科是中国一家专注于氮化镓技术研究和应用的公司，成立于2015年12月。该公司称拥有自主研发的氮化镓芯片制造工艺和封装技术，并提供多种规格的氮化镓产品套件，应用于快速充电、无线充电、数据中心、汽车电子等领域。

　　EPC公司总部位于加利福尼亚州，是一家氮化镓场效应晶体管和功率集成电路全球供应商。2010年，EPC开始制造第一批大规模生产的商用氮化镓晶体管和集成电路。

　　本次专利纠纷也反映了氮化镓技术在全球范围内受到越来越多的关注，竞争也日益激烈。专家预测，在未来两到三年内，全球氮化镓市场规模将达到数十亿美元，并在未来十年内达到数百亿美元的峰值。