英飞凌在美起诉英诺赛科，涉半导体相关专利

　　翻译：杨晨露 知产财经

　　知产财经从海外媒体路透社获悉，英飞凌科技公司（Infineon）近日在美国加利福尼亚州中区法院就半导体相关专利起诉中国公司Innoscience（英诺赛科）专利侵权。

　　据了解，英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑成立，其前身是西门子集团的半导体部门。英诺赛科成立于2015年，是一家从事第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。

　　英飞凌表示，其正在寻求针对一项与氮化镓（GaN）技术相关的美国专利侵权的禁令救济，并称该专利涵盖了 GaN 功率半导体的核心方面，涉及英飞凌专有 GaN 器件的可靠性和性能。

　　案件后续进展如何，知产财经将持续关注。