文 | 霍文娟 北京康信知识产权代理有限责任公司
存储器国产化过程中的知识产权风险日益增加，构建存储器专利护城河对相关企业来讲至关重要。企业可以从增加专利申请量、提高专利质量、加强与代理机构合作、关注国外巨头专利信息、适当投入新型存储器研发并申请相关专利几方面着手，降低存储器在国产化道路上的知识产权风险，构建企业专利护城河。
近年来，由于美国贸易政策改变和国内产业升级，中美贸易冲突加剧，美国限制芯片出口的政策使得国内部分企业陷入了缺芯之境。
2020年10月29日通过的“十四五”规划聚焦“卡脖子”工程，《中国制造2025》中提到了包括先进存储等在内的新一代信息技术产业。鉴于存储器国产化道路上的知识产权风险，本文从知识产权保护的角度切入存储器领域，聚焦国内存储器行业，探讨如何构建存储器的专利护城河。
一、存储器的需求和发展过程
存储器作为数据和程序存放的主要介质单元，目前不仅应用在各种计算机、服务器以及智能设备中，也应用在磁盘阵列和各网络存储系统中。随着5G、物联网等产业的快速深入发展，全球市场对于存储器的需求也进一步扩大。
全球存储器行业从1965年开始至今，可分为三个发展阶段：第一阶段（1965-1974年）为存储器技术萌芽阶段；第二阶段（1975-2000年）为存储器技术初步发展阶段；第三阶段（2001年至今）为存储器技术快速发展阶段。
美国在第一阶段率先投入存储器的研究。美国IBM企业最早投入到DRAM（Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器）产品技术研发领域，DRAM作为最为常见的系统内存，数据保持时间较短。1970年，美国IBM公司宣布其将在推出的大型system/370 Model145的主内存上使用存储新品代替磁芯。1971年，美国英特尔公司也研发出DRAM内存。同年，英特尔的DO Frohman成功研发EPROM。
日本在第二阶段也开始研究存储器。1984年，东芝公司的研发人员首次提出闪存（Flash Memory）概念，并于1989年发布NAND Flash结构。[1]当然，在此阶段，美国也未停止研发存储器的脚步，1988年，英特尔首先研发出NOR Flash技术。
第三阶段即进入21世纪后，全球高科技产业发展迅速，美日韩三国抓住了信息家电的需求特性，在全球范围内掀起了存储器应用的研发热潮，且随着科技的进步，存储器产品的可靠性不断提高。
二、国内外存储器的发展差异
由于性能优异等诸多优势，DRAM与NAND Flash成为市场份额最大的两种存储器。其中，DRAM的市场主要被韩国三星、韩国SK海力士以及美国的美光所垄断。NAND Flash的市场也主要由韩国三星、韩国SK海力士、美国西部数据、美国美光、美国英特尔以及日本铠侠（原东芝储存）等外国厂商占据。
随着国内智能终端技术的发展，中国已经成为存储器的主要销售市场，存储器销售额占全球存储器销售额的一半以上，但上述存储器几乎全部依靠进口，自制率很低。并且由于存储器被国外厂商高度垄断，中国企业几乎没有议价能力。
随着全球化进程的推进，国家信息安全越发重要，存储器作为存储信息的介质，其重要性更是不言而喻，因此存储器行业成为各个国家投资的重要方向。从2016年开始，相关机构先后投资的涉存储器技术企业包括长江存储、长鑫存储以及福建晋华等。其中，长江存储主要致力于NAND Flash的研究，长鑫存储和福建晋华主要致力于DRAM的研究。
目前，虽然我国的存储器企业已经奋起直追，但由于基础比较薄弱，其存储技术与国外相比仍然存在不小的差距。在NAND Flash领域，三星和海力士已研发出了176层的3D NAND Flash，长江存储在2020年研发出了128层的3D NAND Flash。而在DRAM领域，三星已经开始研发第四代10nm级的DRAM，长鑫存储主要工艺为19nm工艺。
三、国内存储器企业的知识产权现状
在实现存储器国产化的道路上，其面临的知识产权风险逐渐增大。在DRAM领域，全球专利布局已经基本完成，主要以美国、韩国和日本为主导，相关技术的专利申请量已经达到十万余件。
反观国内，相关企业的专利布局较晚，专利申请量也较少。笔者检索了长江存储、长鑫存储以及福建晋华近年来在国内的专利申请情况后发现，长江存储从2017年开始申请专利，在存储器方面共申请了1800多件，[2]具体申请概况见图1。
图1 长江存储、长鑫存储、福建晋华总专利申请量
图1显示，上述企业在2017年申请了45件专利，2018年申请了228件，2019年申请了553件，2020年申请了778件，2021年申请了163件，由于2019-2021年的专利可能存在未公开情况，因此理论上其2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字。
通过检索笔者发现，长江存储不仅在闪存方面进行了专利布局，还在DRAM上进行了布局，具体为：2017年申请了1件专利，2018年申请了3件专利，2019年申请了10件专利，2020年申请了39件专利，2021年申请了12件专利。基于上述同样的原因，2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字，具体见图2。
图2 长江存储在DRAM上的专利申请量
而长鑫存储主要从2017年开始申请专利，具体情况见图3。其2017年申请了25件专利，2017年申请了215件专利，2019年申请了158件专利，2020年申请了213件专利，2021年申请了15件专利。同样地，由于2019-2021年的专利也存在未公开情况，因此，其2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字。
图3 长鑫存储专利申请量
福建晋华于2018年开始申请专利，具体情况如图4所示，其2018年申请了24件专利，2019年申请了33件专利，2020年申请了78件专利，2021年申请了8件专利。同样地，由于2019-2021年存在部分专利未公开情况，因此，2019-2021年的申请量应大于上述提及的数字。
图4 福建晋华专利申请量
由上述检索结果可知，国内企业在存储器方面的专利数量加起来也只有数千件，从体量上远远落后于国外，且国外企业还掌握着无法绕开的核心专利。我国存储领域的专利体量较小，难以与国外企业形成交叉许可，随着技术越来越成熟，在产品逐渐推陈出新的过程中，我国企业面临专利诉讼的风险也越来越大。实际上，国内的存储器企业已经历过关联诉讼，并且承担了较为严重的后果。
四、构建专利护城河的建议
为了更为顺利地实现存储器的国产化，攻克“卡脖子”领域，如何规避风险、构建专利护城河是我国相关企业应当思考的问题。笔者认为可以从以下几方面考虑：
第一，进一步增加专利申请量。在为自身产品保驾护航的同时，提高我国企业在存储器领域的话语权，减少专利诉讼的风险，增加与国外巨头企业交叉许可的可能性。
当然，增加申请量并非为了增加数量而申请大量的垃圾专利，而是指在研发过程中，同步申请相关专利，尽量不放过任何技术上的改进。并且在实际的申请策略上，应根据实际方案创造性的高低，合理布局不同类型的专利申请。
第二，重视专利文件的质量，申请高质量专利。高质量专利不仅能够提高专利价值，还可以提高专利的稳定性，在专利的博弈中，产生重要且积极的作用。
具体地，由于高质量的专利文件一般来讲是由专利代理师撰写，因此，对于企业的IP人员以及相关案件的发明人来说，在案件的处理过程中，发明人应积极与代理师沟通，使代理师可以准确无误地了解方案的发明点；同时，IP人员在审核过程中，也要从权利要求范围、权利要求布局、权利要求条数、说明书篇幅以及说明书内容等方面综合审核对应的文件，提高案件质量。
第三，加强并深化与代理机构的合作。企业IP部门可以多组织代理师进行技术领域培训，让代理师不断学习相关的技术知识，使其后续能够更准确地了解拟申请方案的发明点等，从而更好地撰写相关方案。
当然，企业也可以组织研发人员进行专利方面的培训，提高研发人员在专利方面的认知。具体地，可以邀请代理师进行联合培训，也可以由企业内部的IP人员进行培训，培训内容包括技术交底书以及专利挖掘等方面，从而方便研发人员在研发过程中，顺利开展相关专利申请工作。
第四，时刻关注国外巨头的发展情况，适时申请相关专利。分析研究国外巨头在重要技术上发布的专利文件，寻找规避以及优化方案，并对应申请专利，从而进一步降低诉讼风险，提高交叉许可的可能性。
第五，适当投入新型存储器的研发，并申请相关专利。随着人工智能以及大数据等领域的发展，市场对存储器的容量以及速度有着更高的需求，而现有主流的存储器DRAM和NAND Flash难以满足上述需求，新型的存储器就应运而生，目前主要为相变存储器、阻变存储器及磁阻存储器。国外巨头企业已经在上述新型存储器上投入了大量研究，因此，国内企业也应适当投入研发，减小在新型存储器领域与国外巨头的差距。
五、总结
存储器的国产化并非一蹴而就，在产业发展的过程中，面对国际上的激烈竞争，不可避免地会面临知识产权相关的法律风险。为此，不仅要在国家层面倡导增加技术研发投入，攻克”卡脖子“工程，也需要企业在项目预警、专利布局、保护范围和规避风险等方面，与知识产权相关律师和代理师等法律专业人才共同努力，致力于构建存储器的知识产权护城河。
注释：
[1] NAND Flash是Flash存储器的一种，具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。
[2] 截至目前共检索到1800件，但由于有些专利未公开，因此实际申请数量应该大于1800件。
参考文献
[1]《2020年全球存储器市场现状情况分析》，http://www.ofweek.com/,2020年4月12日最后访问。
