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英飞凌在美起诉英诺赛科,涉半导体相关专利

来源于 知产财经 日期 2024年03月20日

英飞凌科技公司(Infineon)近日在美国加利福尼亚州中区法院就半导体相关专利起诉中国公司Innoscience(英诺赛科)专利侵权。

  翻译:杨晨露 知产财经

  知产财经从海外媒体路透社获悉,英飞凌科技公司(Infineon)近日在美国加利福尼亚州中区法院就半导体相关专利起诉中国公司Innoscience(英诺赛科)专利侵权。

  据了解,英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑成立,其前身是西门子集团的半导体部门。英诺赛科成立于2015年,是一家从事第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。

  英飞凌表示,其正在寻求针对一项与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利侵权的禁令救济,并称该专利涵盖了 GaN 功率半导体的核心方面,涉及英飞凌专有 GaN 器件的可靠性和性能。

  案件后续进展如何,知产财经将持续关注。


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